在有源器件（包括硅光调制器、探测器、激光器等）的测试中，需要让PN结工作在一定的DC偏压下，然后输入或者输出高速RF信号。此时需要使用一个器件，即Bias Tee，它的作用是将DC信号和RF信号混合到同一路中。Bias T的内部结构比较简单，如下图所示

Bias Tee含有三个端口，分别为DC端口、RF端口、RF+DC端口，其内部含有一个电容与一个电感，电容的作用是隔离直流信号，通过RF信号，而电感的作用是隔离交流信号，通过DC信号。原理与内部结构非常简单，但对于工作频率要求很高的场景，结构会复杂得多，需要考虑电容与电感的高频响应，典型的内部电路如下图所示，

在硅光调制器的测试中，其电路连接如下图所示。通过bias tee将RF信号与DC偏压同时加载phase shifter上。

在锗探测器的测试中，其典型的电路图如下图所示，直流电压通过Bias Tee加载到PD上，使得PD工作在反偏模式下，而产生的光电流通过Bias Tee输出到外部测量电路中。

在半导体直调激光器的测试中，也需要使用bias tee同时输入RF信号与DC偏置电压，如下图所示，

以上是对Bias tee的简单介绍，其作用是在有源器件的测试中，在器件两端同时加载DC和RF信号。虽然原理与结构非常简单，但其在高频测试中发挥了非常重要的作用。电信号可以简单地进行混合与分离，但是对于光信号，因为干涉的原因，两束光无法直接相加，是否有可能实现光的加运算呢？微环的add-drop型结构有些类似，将不同波长的光分离与混合。